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碳化硅容易粉碎吗
碳化硅容易粉碎吗
碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中国粉体网
2021年2月25日 为什么需要表面改性 据中国粉体网编辑了解，由于纳米级 碳化硅粉 体在超细粉碎的过程中，会受到不停地摩擦、冲击作用，一方面导致微粉的表面积累了大量的 中国粉体网资讯要闻模块，快速、准确、全面的为您提供粉体行业要闻资讯，让您 要闻
碳化硅粉末的生产和应用
加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。 必须使用破碎机将其破碎成不超过 5 毫米的颗粒。 然后，使用成型机将其成型为不超过 2 毫米的颗粒，其中椭圆形颗粒占 80% 以上。2020年3月31日 碳化硅粉末是一种超硬材料，产品采用绿色碳化硅砂经研磨分级提纯制成，其粒度均匀、硬度高、脆性大、自锐性强，切削能力较强，化学性质稳定，导热性好，可以用作研磨粉、研磨膏类使用什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 Silicon
碳化硅生产流程及寿命 知乎
2022年3月16日 高温下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅电极、碳化硅模具和碳化硅制品三种，这三种材料中的碳化硅在高温下，碳化硅很容易发生氧化燃烧反应，造成材料表面胶碳层气孔率增加和结构疏松，影响使用 2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
碳化硅粉末要点：优点与应用
碳化硅粉末具有显著的热性能和电性能，能够提高陶瓷、热能工程和先进电子产品的性能，使用碳化硅粉末的优势显而易见。 碳化硅粉末的生产和加工2015年7月10日 碳化硅和氧化硅都具有非常稳定的化学性质，并且会被用来做耐火材料，碳化硅在自然条件下无从谈燃烧，氧化硅也很难与水发生反应。 以上，经过追踪溯源，粉 碳化硅粉体燃烧，你信吗？粉体资讯粉体圈 360powder
碳化硅的节能粉碎设备与工艺研究 百度学术
利用fluent软件对节能粉碎和高压粉碎的喷嘴流场进行了模拟分析,对比了两种粉碎工艺下的喷嘴出口轴心速度和颗粒加速规律,结果发现:节能粉碎的喷嘴出口轴心速度更高,衰减更小, 2016年12月23日 超细碳化硅粉体性能优于传统的碳化硅粉体，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制 超细碳化硅粉体的制备及应用简介粉体资讯粉体圈
一篇文章看懂行星式球磨机的操作要求和注意事项行业动态
2022年11月17日 操作要求： 1确定目的： 目的为了粉碎、研磨、分散、乳化物料还是只是混料？ 当为混料时，使用行星式球磨机球磨的不同物料的密度差距不要太大。 否则混料会出现明显的分层，影响混料效果。 2确定球磨方式： 当两者都合适的话，企业生产更喜欢干 2021年2月25日 为什么需要表面改性 据中国粉体网编辑了解，由于纳米级 碳化硅粉 体在超细粉碎的过程中，会受到不停地摩擦、冲击作用，一方面导致微粉的表面积累了大量的正负电荷，而这些带电粒子极其地不稳定， 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
2011年9月9日 2013年6月17日碳化硅破碎机是矿山机械中举足轻重的机械设备,其发展不仅关系到碳化硅破碎机自身的 10月30日 磁力泵接液转动轴一般采用双轴承结构即轴上套装碳化硅或合金轴套如果温度高很容易因轴和套膨胀系数不一样而涨碎因此需在二者 碳化硅容易破碎吗
氮化硅与碳化硅的氧化特性比较高温速率反应
2024年3月1日 碳化硅的氧化速率受温度和氧气分压的影响，随着温度的升高和氧气分压的增加，氧化速率会增加。与氮化硅相比，碳化硅的氧化速率在高温下仍然保持较高的水平。三、氮化硅与碳化硅的氧化比较 从氧化特性来看，碳化硅相对于氮化硅更容易氧化。2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V此外，O杂质主要以非晶SiO 2 的形式覆盖在SiC颗粒表面。 Fe杂质以Fe 2 O 3 、Fe的形式存在于SiC颗粒周围 x Si y 、Fe x Si y Ti z 和Fe x Al y Si z 相。 杂质 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International
碳化硅陶瓷材料特性 英诺华
碳化硅（SiC）陶瓷是一种多功能材料，具有一系列独特的特性，使其适用于各种应用： 1 电绝缘性：碳化硅陶瓷是一种优异的电绝缘体，适用于电气和电子应用。由于其能够处理高电压，它也被用于高功率电子器件。 2 高导热性：SiC具有较高的热导率，使其能够高效地传递热量。这一特性在需要热 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅与硅：两种材料的详细比较
硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。2023年8月31日 你准备好用碳化硅(SiC)设计电源产品了吗？虽然SiC作为一种宽禁带半导体，比硅(Si)具有更多的优势，但由于是种新技术，有关它的误解仍然有很多。本文列出了其中的八个，有哪些是你不知道的呢？ 误区一：SiC解决方案太贵 有人仍然认为SiC解决方案成本太关于碳化硅(SiC)的八大误区EDN 电子技术设计
碳化硅粉末的生产和应用
碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。 碳化硅的具体生产工艺包括 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。 必须使用破碎机将其破碎成不超过 5 毫米的颗粒。然后，使用成型机将其成型为不超过 2 毫米的颗粒，其中椭圆形颗粒 知乎 有问题，就会有答案
碳化硅超微粉碎机 百度百科
碳化硅超微粉碎机 播报 讨论 上传视频 用于粉碎物料的机器 压缩空气 由流化床四周相对的超音速喷管加速后进入 流化床 ，在流化床粉碎机内相互撞击形成粉碎腔。 物料由加料口进入流化床粉碎机内，在气流的带动下，物料于粉碎腔中部相互碰撞、摩擦而 1 天前 在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。 目前主流的切割工艺大体 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅是一种具有高温稳定性和优异机械性能的陶瓷材料，常用于制备高温结构材料、电子器件、耐磨材料等。 在高温下，碳化硅可以发生多种化学反应，下面列举几种常见的碳化硅高温反应： 1热分解反应：碳化硅在高温下会发生热分解反应，生成二氧化硅 碳化硅高温反应百度文库
要分散！不要团聚！——超细粉体的关键技术难题
2020年5月18日 另外，矿物材料在粉碎过程中，吸收了大量的机械能或热能，因而使新生的超细颗粒表面具有相当高的表面能，粒子处于极不稳定状态。粒子为了降低表面能，往往通过相互聚集靠拢而达到稳定状态，也容易引起粒子团聚。2024年1月14日 一文了解碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术 本文从晶体结构、发展历史、制备方法等角度详细介绍SiC SiC 晶体的结构及性质 SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 一文了解碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术 电子发烧友网
碳化硅材料易氧化的原因网易订阅
2019年4月29日 碳化硅材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。 但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致碳化硅材料被快速氧化 ，即产生活性氧化。 而碳化硅材料在使用过程中经常会遇到这种 2016年12月31日 烧结升温速度过快容易造成开裂，降温过快则可能引起炸裂 烧结加的成分在高温下收缩（如膨润土）；或在降温过程中发生相变而产生体积收缩（如二氧化硅）。 还有就是可能粘结剂选择不合适、成型时压力和保压时间选择不恰当、或者升温速率控制不好等 陶瓷烧结时为什么会开裂 百度知道
硅粉加工粉尘爆炸危险性与预防措施 豆丁网
2014年9月2日 血的教训使得我们在生产过程中要更加重视爆炸的危险性，做好相应的预防措施，将爆炸危险降到最低。 11硅粉加工发生爆炸的条件硅粉加工是将大的硅块加工成粒径较小的粉料，硅粉粒径越小，越易悬浮，表面积越大，燃烧速度越快，升压越快，爆炸压力越 工业碳化硅晶体表面的SiO2薄膜使得碳化硅在较高温度下不和强酸作用，因此，碳化硅的化学稳定性与其氧化特性密切相关。 实际上碳化硅的化学稳定性不是它固有的性质，而是由于表面氧化所产生的二氧化硅薄膜的性质。 碳化硅材料在普通条件下 (如大气1O00 碳化硅的抗氧化性和化学稳定性 百度文库
碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺
2023年3月7日 除此之外，腐蚀在 SiC 器件制造过程也有相关应用，目前图形转移工艺主要采用反应 性离子刻蚀（RIE）、高温气体刻蚀等干法刻蚀技术，而湿法腐蚀具有腐蚀速率高、缺陷选择性等特点， 可以作为干法刻蚀 2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
碳化硅的化学性质 百度知道
2023年10月13日 关注 碳化硅的化学性质可以概括如下： 1 碳化硅和碱：通常情况下，碳化硅不与碱反应。 它是一种非金属材料，相对稳定，不容易被碱侵蚀。 因此，碱性溶液一般不会对碳化硅产生显著的化学反应。 这是因为碳化硅具有坚硬的晶体结构，不容易被碱性物 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅百度百科
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 3．碳化硅微粉的粉碎 设备 目前国内对于碳化硅微粉粉碎的设备种类很多。如：搅拌磨机、振动磨机、辊式磨粉机、气流磨粉机及球磨机等等。传统的球磨机应用较早，设备稳定性好，但效率低，能耗大，且不容易得到很细的微粉，加工的微粉粒径分布 碳化硅微粉的应用与生产方法百度文库
碳化硅（SiC）[SCP・HEXOLOY] 日本精密陶瓷株式会社
2023年9月12日 碳化硅是一种黑色陶瓷，和其他的精密陶瓷相比，在高温环境（1000℃以上）中机械强度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其强共价键，在各种精密陶瓷材料中硬度最高、耐腐蚀性优异、在液体中的滑动特性良好。 利用这些特点，使用在机械密封、化工泵轴承等 2023年10月11日 碳化硅（SiC）晶体在实现导电性和半绝缘性质时，通常采用掺杂技术。 掺杂是向晶体中引入杂质，以改变其导电性质。 半绝缘型碳化硅衬底的制备依赖于P型掺杂和N型掺杂。 在P型掺杂中，将具有三价离子的杂质掺入碳化硅晶体中，如铝、硼等。 这些 碳化硅衬底掺杂技术 百家号
科学网—碳化硅表面氧化产生的意外结果 郭向云的
2023年6月23日 碳化硅负载的贵金属纳米颗粒具有独特的催化作用，这种独特性与金属和碳化硅间的电子转移有很大关系。 因此，在负载金属之前有时候需要用氢氟酸洗掉碳化硅表面的氧化层。 但是，研究生李雷却发现碳 2018年8月16日 为什么碳化硅耐火砖会容易氧化呢？ 我们具体分析。 碳化硅耐火砖 在普通条件下（如大气1000℃—2000℃）具有较好的抗氧化性能，这是由于高温条件下，碳化硅材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体结合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此碳化硅耐火砖的氧化非常缓慢。碳化硅耐火砖为什么容易氧化保护膜
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该 工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是 2024年4月1日 集微网报道 （文/陈炳欣）近日，有市场消息称，由于本土供应商之间的竞争加剧，多年来一直保持稳定的碳化硅衬底价格开始出现下跌，跌幅甚至达到三成。另有报道称，2024年碳化硅衬底领域或将开启价格战。近几年，无论国际还是国内的碳化硅厂商都在持续扩大碳化硅衬底的产能，扩产规模可达 碳化硅掀衬底价格战！市场供需如何演变？腾讯新闻
一种碳化硅晶体高温退火处理方法[发明专利]百度文库
2014年12月7日 1 一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤 ：（1） 在退火石墨 坩埚底部均匀放入 20~50g 碳化硅粉料，以防止在高温阶段中碳化硅晶体表面的反向升华， 将碳化硅晶体放置在退火石墨坩埚内，装配好石墨坩埚，并放置在晶体退火炉内 2023年3月25日 碳化硅叶轮容易坏吗碳化硅叶轮容易坏。主要原因是碳化硅材料受热、冷退化、收缩膨胀性很差，这会导致叶轮偏心变形，使风机出现振动及噪声。另外，碳化硅叶轮接触空气时容易受到颗粒污染，加速叶轮老化和损坏。碳化硅叶轮容易坏吗 百度知道
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 SiC 能够很好地满足高电压需求。 碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。 高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽 2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见
一篇文章看懂行星式球磨机的操作要求和注意事项行业动态
2022年11月17日 操作要求： 1确定目的： 目的为了粉碎、研磨、分散、乳化物料还是只是混料？ 当为混料时，使用行星式球磨机球磨的不同物料的密度差距不要太大。 否则混料会出现明显的分层，影响混料效果。 2确定球磨方式： 当两者都合适的话，企业生产更喜欢干 2021年2月25日 为什么需要表面改性 据中国粉体网编辑了解，由于纳米级 碳化硅粉 体在超细粉碎的过程中，会受到不停地摩擦、冲击作用，一方面导致微粉的表面积累了大量的正负电荷，而这些带电粒子极其地不稳定， 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中
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2011年9月9日 2013年6月17日碳化硅破碎机是矿山机械中举足轻重的机械设备,其发展不仅关系到碳化硅破碎机自身的 10月30日 磁力泵接液转动轴一般采用双轴承结构即轴上套装碳化硅或合金轴套如果温度高很容易因轴和套膨胀系数不一样而涨碎因此需在二者 碳化硅容易破碎吗
氮化硅与碳化硅的氧化特性比较高温速率反应
2024年3月1日 碳化硅的氧化速率受温度和氧气分压的影响，随着温度的升高和氧气分压的增加，氧化速率会增加。与氮化硅相比，碳化硅的氧化速率在高温下仍然保持较高的水平。三、氮化硅与碳化硅的氧化比较 从氧化特性来看，碳化硅相对于氮化硅更容易氧化。2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V此外，O杂质主要以非晶SiO 2 的形式覆盖在SiC颗粒表面。 Fe杂质以Fe 2 O 3 、Fe的形式存在于SiC颗粒周围 x Si y 、Fe x Si y Ti z 和Fe x Al y Si z 相。 杂质 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International
碳化硅陶瓷材料特性 英诺华
碳化硅（SiC）陶瓷是一种多功能材料，具有一系列独特的特性，使其适用于各种应用： 1 电绝缘性：碳化硅陶瓷是一种优异的电绝缘体，适用于电气和电子应用。由于其能够处理高电压，它也被用于高功率电子器件。 2 高导热性：SiC具有较高的热导率，使其能够高效地传递热量。这一特性在需要热 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅与硅：两种材料的详细比较
硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。2023年8月31日 你准备好用碳化硅(SiC)设计电源产品了吗？虽然SiC作为一种宽禁带半导体，比硅(Si)具有更多的优势，但由于是种新技术，有关它的误解仍然有很多。本文列出了其中的八个，有哪些是你不知道的呢？ 误区一：SiC解决方案太贵 有人仍然认为SiC解决方案成本太关于碳化硅(SiC)的八大误区EDN 电子技术设计