当前位置：首页 > 产品中心
电流脉冲碳化硅
电流脉冲碳化硅
对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大
2023年8月7日 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第 对半导体探测器结构和物理特性进行了研究，并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容，为电流型半导体探测器的研究和应用 电流型碳化硅探测器
碳化硅探测器的最大线性电流研究
本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强 2024年1月26日 借助碳化硅DSRD 可以将峰值超过千伏的电压脉冲的前沿缩短到300 ps; 碳化硅DSRD与DAS 的组合可以输出脉冲前沿在35 ps、 峰值超过2 kV的电压脉冲。 仿真 基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术
碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热 SiC FET的脉冲电流能力量化 日期： 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee 宽 SiC FET的脉冲电流能力量化 Power Systems Design 中国
SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed
2021年10月22日 碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流 2020年10月23日 SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。 表11 列出了各种半导体材料的电气特征，SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场 SiC 功率器件・模块 应用笔记 Rohm
碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估
2021年1月7日 碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化 2021年10月19日 电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。 然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。 本文提出了一种基于低温共烧陶 用于碳化硅功率模块集成的基于 LTCC 的电流传感器,IEEE
一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法与流程
2020年2月28日 具体的,本发明提供了一种双脉冲测试平台的碳化硅mosfet建模方法,结合附图的流程图所示,包括以下步骤： s1:搭建双脉冲测试平台； s2:理想状态下碳化硅mosfet开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程。 在忽略寄生电感和寄生电阻这些寄生参数的情 2024年6月6日 文章浏览阅读323次。国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用sic模块 现在都有什么封装尺寸 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题 模拟技术
2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。2023年12月20日 影响系统EMC指标。最后，驱动电压尖峰带来的高频震荡还会导致电流 双脉冲 测试方法 瞻芯电子采用经典的双脉冲测试方法，来复现分析SiC MOSFET的开关过程中驱动电压尖峰，以便采取对策。在双脉冲测试中，Q1和Q2为瞻芯 SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）瞻芯电子新闻
碳化硅探测器的最大线性电流研究
摘要 摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性 2022年12月20日 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法 1本发明涉及电力电子技术和电工技术领域，具体涉及一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法。 2由于之前广泛使用的以igbt和mosfet为代表的硅基半导体器件本身不提供电流源型逆变器拓扑多要求的反向电压 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法 X技术网
基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术 新闻通知
2024年2月5日 3 结果分析 31 DSRD 整形 在碳化硅DSRD基脉冲电路中，DSRD关断时DSRD以及负载Rl2上的电流如图4（a）所示：t1之前DSRD内充满正向注入的等离子体；t1到t2等离子体被抽取，器件基区内的载流子浓度降到平衡载流子浓度附近。2022年2月23日 在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至于超过其峰值电流限定或者热保护限定。干货分享 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析
双脉冲测试 Tektronix
2 天之前 双脉冲测试的基础知识 使用两台设备执行双脉冲测试。 一台设备是被测设备 (DUT)，另一台设备通常与 DUT 属于同一类型。 注意“高”侧设备上的感应负载。 电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。 使用的仪器包括用于提供电压的电源或 SMU，用于 2021年10月22日 为了测量MOSFET 动态性能的四个指标（包括开关损耗、时间、过冲、开关速度），必须使设备工作，然后使用钳位电感负载 (CIL) 测试系统进行高精度测量。 将 MOSFET 动态性能进行表征化的步是 SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed
宽禁带 – 双脉冲测试分析 Tektronix
3 天之前 反向恢复电荷 (Qrr) 是当功率器件从指定的正向电流条件切换到具有正向偏置栅极条件的指定反向电压条件时，在单个集电极电流或漏极电流脉冲的指定积分时间期间从功率器件恢复的总电荷。恢复的电荷测量值为： 其中： t 0 是指电流通过零点时的时刻。摘要： 本文从电流型半导体探测器的起源,传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作,响应性能研究,抗辐照性能研究等内容,为电流型 电流型碳化硅探测器 百度学术
电流脉冲碳化硅
电流脉冲碳化硅 技术文库 碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题5未知来源供稿1引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管功率MOS和绝缘栅双极晶体管IGBT等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。2024年1月26日 硅脉冲器件是解决这些问题的方法之一。由于碳化硅材料具有高临界击穿场强、高载流子饱和速度、高热导率、高熔点，在等离子体脉冲功率开关领域具有天然优势[1114]，碳化硅等离子脉冲功率开关具有更高的效率、更小的体 积和更快的开关速度。基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术
高压碳化硅GTO器件结构与特性研究 百度学术
给新一代电力电子器件的发展带来了希望碳化硅栅极 电路中得到发展本文基于半导体二维数值分析软件Synopsys Sentaurus TCAD,设计了一款超高压,高脉冲电流的SiC GTO功率器件首先,研究了SiC材料特性,分析了SiC GTO器件物理性能并 2020年6月16日 在碳化硅的电流测试中，一般是车载充电器、电源、碳化硅基MOSFET 、逆变器等产品的高频电流测试，根据测试的频率及测试空间大小，一般是选择柔性罗氏线圈。1 选择柔性罗氏线圈 选择柔性罗氏线圈往往要考虑几个重要因素，包括电流峰值 碳化硅SiC的电流测试方案化工仪器网
对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及
2023年11月9日 对4h碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法 技术领域 1本发明属于核辐射探测技术领域，具体涉及到一种基于4h碳化硅探测器的电流脉冲型前端电路。 背景技术： 24h碳化硅探测器的平均电离能高，收集到的电荷量更少，输出信号更微弱，导致探测器输出信号非常容易受分布 本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发，论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究，并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容，为电流 电流型碳化硅探测器
知乎专栏
2023年12月20日 碳化硅 MOSFET 通常用于需要在电源的初级侧和次级侧之间进行隔离的高压和大功率应用。 在这些系统中，能量通过变压器从一侧转移到另一侧，控制器通常放置在一侧，例如次级侧。 当驱动初级侧的 SiC MOSFET 时，需要使用隔离将驱动信号从次级侧控制器传输到 技术分享碳化硅MOSFET驱动电路详解电子工程专辑
知乎 有问题，就会有答案
2023年1月13日 由于单级PFC输出的直流电流有比较大的低频波动,所以典型的OBC 系统在PFC 级后还有会DC/DC 变换器级,其输出给车载高压动力电池供电。 对于常见的400V或800V 电池系统,OBC 输出电压通常为230450V 与450900V。 由于车载用电设备大部分为低压供电,所以动力域还需直流DC OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 德州
SiC MOSFET高频振荡的简单分析mosfet关断过程产生
2021年11月9日 在同步 Buck 变换器中， MOSFET 开通与 关断 瞬间，由于 POL 自身寄生电感和电容以及PCB 走线的寄生电感和电容参数的原因开关节点会 产生高频振荡 。 过高的 振荡 会增加损耗、加重 EMI 干扰，POL 负电流保护，甚至击穿芯片影响系统的稳定工作。 那么我们就 分析 2023年3月31日 对传统的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性电流探头（罗氏线圈）去测试集电极电流或漏极电流。 但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET，在实际测试过程中，由于柔性电流探头测试的电流存在一定的延迟时间，从而导致碳化硅MOSFET的开通关断损耗的测量存在很大的偏差（如图3所示）。SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管
碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 亿伟世科技
2022年4月1日 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率 2020年10月7日 在测试案例中，一个长脉冲之后是 1 μs 的间隙，之后是短脉冲。与基于 Si 的器件一样，导通和关断采用传统测量方法。仔细观察波形（图 2），就会发现实际仿真结果和理想仿真结果之间的差异。仿真中的上升和下降时间都比测量结果快很多，因为实际结果受到电感的影响，即两个器件之间的寄生 利用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 建立常见拓扑结构模型
世强硬创平台全球领先的研发服务平台电子元器件,电机,部件,材
2021年7月6日 本发明涉及碳化硅(sic)mosfet器件技术领域，尤其涉及一种基于双脉冲测试的碳化硅mosfet关断过程建模方法。背景技术sic器件作为新型功率半导体，相比传统的硅(si)基功率半导体具有宽禁带，高击穿场强，高导热率，高开关速度，低开关损耗等优势，具有广阔的应用场景。最新的研究指出，sicmosfet在 一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法与流程
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
2022年4月24日 放电等离子烧结可以同时向坯体施加单轴载荷和直流脉冲电流，从而使难以烧结的碳化硅在相对低的温度下达到致密化。 另外，放电等离子烧结的时间非常短，使陶瓷材料的晶粒生长受到限制，从而保持细 2018年1月11日 采用532 nm激光对开关进行了触发, 研究了不同衬底厚度、电压和光强对开关性能的影响 并使用1064 nm的激光对衬底厚度为040 mm SiC光导开关进行了触发, 且与532 nm激光触发的结果进行了比较 1 实验 实验采用的半绝缘6HSiC衬底由中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究
SiCer小课堂｜TO247封装碳化硅MOSFET引入辅助源极管脚
2022年8月29日 对传统的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性电流探头（罗氏线圈）去测试集电极电流或漏极电流。 但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET，在实际测试过程中，由于柔性电流探头测试的电流存在一定的延迟时间，从而导致碳化硅MOSFET的开通关断损耗的测量存在很大的偏差（如图3所示）。2023年11月22日 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用 作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。SiC FET的脉冲电流能力量化 Power Systems Design 中国
一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法专利检索氧莫来
2022年11月17日 1一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，它包括以下测试步骤： a)测试系统搭建：功率器件的源极(1)外接反偏电压源，电压源的正极连接功率器件的漏极(8)，电压源的负极连接功率器件的源极(1)，使P型基区(3)与结型场效应区(6)的PN结反偏，漏极(8)作为测试电流引出端口外接电流表并所述电流 2021年10月19日 电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。本文提出了一种基于低温共烧陶瓷 (LTCC) 的低剖面电流传感器，具有即用型结构。对所提出的电流传感器的电流容量、带宽、电绝缘和热膨胀性能进行了全面分析和评估。用于碳化硅功率模块集成的基于 LTCC 的电流传感器,IEEE
双脉冲测试专用空心电感 支持碳化硅SIC、氮化镓GaN、MOS
2024年1月22日 碳化硅SICFET氮化镓GANFET、MOSFET、IGBT双脉冲测试专用空心电感 支持按需求定制。 部分规格有现货，支持极速发货，具体请咨询客服（根据当日产线规格变化）。 小型品：100uH以内自定义5个感值，电流小于500A/03mS， 耐压满足CAT标准7KV。 标准品：200uH以内自定义 2024年5月14日 文章浏览阅读1k次，点赞18次，收藏22次。 在平常的使用中，我们基本通过芯片手册来了解功率器件的各种性能参数，但是手册中的参数的测量环境都是在理想状态下，与实际使用或多或少都会有差别。 通过双脉冲实验可以获取器件在真实工况下的参数，对 浅谈SiC MOSFET之双脉冲原理 CSDN博客
一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法与流程
2020年2月28日 具体的,本发明提供了一种双脉冲测试平台的碳化硅mosfet建模方法,结合附图的流程图所示,包括以下步骤： s1:搭建双脉冲测试平台； s2:理想状态下碳化硅mosfet开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程。 在忽略寄生电感和寄生电阻这些寄生参数的情 2024年6月6日 文章浏览阅读323次。国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用sic模块 现在都有什么封装尺寸 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题 模拟技术
2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。2023年12月20日 影响系统EMC指标。最后，驱动电压尖峰带来的高频震荡还会导致电流 双脉冲 测试方法 瞻芯电子采用经典的双脉冲测试方法，来复现分析SiC MOSFET的开关过程中驱动电压尖峰，以便采取对策。在双脉冲测试中，Q1和Q2为瞻芯 SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）瞻芯电子新闻
碳化硅探测器的最大线性电流研究
摘要 摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性 2022年12月20日 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法 1本发明涉及电力电子技术和电工技术领域，具体涉及一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法。 2由于之前广泛使用的以igbt和mosfet为代表的硅基半导体器件本身不提供电流源型逆变器拓扑多要求的反向电压 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法 X技术网
基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术 新闻通知
2024年2月5日 3 结果分析 31 DSRD 整形 在碳化硅DSRD基脉冲电路中，DSRD关断时DSRD以及负载Rl2上的电流如图4（a）所示：t1之前DSRD内充满正向注入的等离子体；t1到t2等离子体被抽取，器件基区内的载流子浓度降到平衡载流子浓度附近。2022年2月23日 在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至于超过其峰值电流限定或者热保护限定。干货分享 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析
双脉冲测试 Tektronix
2 天之前 双脉冲测试的基础知识 使用两台设备执行双脉冲测试。 一台设备是被测设备 (DUT)，另一台设备通常与 DUT 属于同一类型。 注意“高”侧设备上的感应负载。 电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。 使用的仪器包括用于提供电压的电源或 SMU，用于